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SSO-AD-230NIR-TO52 参数 Datasheet PDF下载

SSO-AD-230NIR-TO52图片预览
型号: SSO-AD-230NIR-TO52
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内容描述: 雪崩光电二极管NIR [Avalanche Photodiode NIR]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 50 K
品牌: ROITHNER [ Roithner LaserTechnik GmbH ]
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SSO -AD- 230 NIR- TO52
雪崩光电二极管NIR
特色:
量子效率>80 %
!
760-910纳米
高速,低噪声
230微米直径的有效面积
低坡度乘法曲线
参数:
活动区域
暗电流
(M=100)
1)
总电容
(M=100)
分解电压U
BR
(在我
D
=2µA)
U型温度系数
BR
光谱响应
( 905纳米)
截止频率
(-3dB)
上升时间
最佳增益
增益M
"Excess Noise"因素
(M=100)
"Excess Noise"指数
(M=100)
噪声电流
(M=100)
N.E.P.
(M = 100, 880 nm)的
工作温度
储存温度
50 - 60
200分钟
1)
套餐2 ( TO52 ) :
0,042 mm
230 µm
最大。 1,5 nA的
(典型值) 。 0.6 nA的
(典型值) 。 0.8 pF的
120 ... 300 V
(典型值) 。 0,55 %/℃
分钟。 0,55 / W
(典型值) 。 0,6 / W
400兆赫
600兆赫
550 PS
250 PS
2
905nm
655nm
905nm
655nm
(典型值) 。 2,5
(典型值) 。 0,2
(典型值) 。 0,5 PA / Hz的
-14
�½
(典型值) 。 1 * 10W / Hz的
-20 ... +70°C
-60 ... +100°C
�½
1)
测定条件:
相片的设定电流1.0 nA的在M = 1和照射由
近红外LED ( 880纳米, 80纳米的带宽) 。
光电流可达上升至100 nA的, (M = 100)的内部
乘法由于增加的偏置电压。