特定网络阳离子
图1
CX1V典型动态电阻（R
1
)
规格是典型的25
O
C除非另有说明。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
频带
10千赫至600千赫
标准校准公差* （见下表）
串联电阻（R
1
)
图1
MAX ： 10-169.9千赫， 2个典型。
170-600 kHz时，典型值2.5倍。
动态电容（C
1
）图2
品质因数（Q ）
科幻gure 3
分钟。为0.25X典型。
并联电容（C
0
)
2.0 pF的MAX 。
驱动电平
10-24.9千赫0.5
µW
马克斯。
25-600千赫1.0
µW
马克斯。
转折点（T
0
)**
图4
温度系数（ k）的-0.035 ppm的/
O
C
2
老龄化，第一年
5 ppm的MAX 。
冲击，生存***
千克， 1毫秒，
1
/
2
正弦
振动，生存***
20克RMS ， 10-2,000赫兹
工作温度。范围
-10
O
C至+70
O
C（商业）
-40
O
C至+ 85
O
C（工业级）
-55
O
C至+ 125
O
C（军事）
储存温度。范围
-55
O
C至+ 125
O
C
最大加工温度260
O
下进行20秒。
*更紧密的频率校准使用。
**其他的转折点可用。
***较高的冲击和振动提供。
300
200
100
50
R
1
(k )
10
2
0
5
2
10
20
50
100
200
600
频率（kHz ）
图2
CX1V典型的动态电容（C
1
)
5
5
C
1
(fF)
2
1.
0 0.5
10
20
50
100 200
600
频率（kHz ）
科幻gure 3
CX1V典型的品质因数（Q ）
（ 1000年的）
300
200
300
100
50
CX1VSM标准校准牛逼
olerance 25
o
C
频率范围（千赫）
10-74.9
30 PPM
(0.003%)
+
_
+
_
20
10
20
50
100
200
600
75-169.9
50ppm的
(0.005%)
+
_
+
_
170-249.9
+
_
250-600
+
_
频率（kHz ）
图4
CX1V典型TURNING POINT TEMP （T
0
)
.
100 ppm的
(0.01%)
200 ppm的
(0.02%)
200 ppm的
(0.02%)
500 ppm的
(0.05%)
100 ppm的
(0.01%)
100 ppm的
(0.01%)
+
_
+
_
为1000ppm
(0.1%)
为1000ppm
(0.1%)
为2000ppm
(0.2%)
5000 PPM
(0.5%)
负载电容（C
L
） ，用于校准CX1VSM
（其他C
L
提供）
T
O
( C)
+
_
+
_
+
_
+
_
+80
+70
+60
+50
+40
+30
+20
+10
0
-10
-20
10
20
50
100
200
600
频率负载
范围
电容
（千赫）
（PF ）
10-15.9
16-24.9
25-54.9
CX1V
S
频率
范围
（千赫）
55-99.9
100-179.9
180-600
负载
电容
（PF ）
8
5
4
O
频率（kHz ）
注意：在温度T的频率f被涉及到频率f
0
at
拐点温度T
0
方式：
f-f
0
2
=
K（ T形
0
)
11
10
9
C
SM1
f
0
终端
HOW TO ORDER CX1VSM晶体
32.768K
频率
K =千赫
SM1 =镀金
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
校准
公差
@ 25
O
C
（单位：ppm ）
, 30 / M
工作温度。范围：
C = -10
O
C至+70
O
C
I = -40
O
C至+ 85
O
C
M = -55
O
C至+ 125
O
C
S =客户指定
称号
SM1
SM2
SM3
终止
镀金
焊接镀
浸焊剂
“S”如有特殊或
定制设计。
空白，如果标准。
封装选项
CX1VSM
- 托盘包装
- 16毫米胶带，7“或13”的卷轴
（参考磁带和卷轴数据表10109 ）
10121 - 修订版B
S
空白=玻璃盖
C =陶瓷盖
YS
ERT
T
E
M
C
IFIC
T
A
N
IO
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IS
O
90
01
RSG [ RSG ELECTRONIC COMPONENTS GMBH ]
