特定网络阳离子
典型用途
针对皮尔斯振荡器
规格是典型的25
O
C除非另有说明。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
参数
基本
弦外之音
频率（千赫）
动生阻抗R
1
(kΩ)
动感电容C
1
(fF)
品质因数Q （ K）
并联电容C
0
（PF ）
负载电容（pF ） *
转折点（
o
C)*
标准校准公差**
玻璃盖：
陶瓷盖：
驱动电平
30 PPM
(0.003%)
+
_
+
_
+
_
32.768
50
2.3
40
1.1
9
25
100
18
1.07
85
0.7
8
10
200
2.4
2.2
140
1.2
5
29
表面的CX4系列安装晶体的理想选择
小，密度高，电池供电的便携式产品。该
CX4设计的水晶在皮尔斯振荡器（单台变频器）
电路提供非常低的电流消耗和高
稳定。传统的CMOS皮尔斯振荡器电路
如下所示。该晶体是有效电感，并在PI-
与C网的电路
D
和C
G
提供了额外的
所需的相移，以维持振荡。振荡
频率（f
0
）为50〜 150ppm的上述的晶体的系列
谐振频率（f
S
).
驱动电平
R
A
用于通过形成限制液晶的驱动电平
R的电压分压器
A
和C
D
. R
A
也稳定
振荡器反对改变放大器的输出
电阻（R
0
). R
A
应增加为更高的电压
操作。
负载电容
CX4的结晶校准公差的影响
有效电路的电容，指定作为负载
电容（C
L
). C
L
约等于：
C
L
=
C
D
乘C
G
C
D
+ C
G
+
C
S
100 ppm的
(0.01%)
为1000ppm
(0.1%)
+
_
为1000ppm
(0.1%)
10000 PPM
(1.0%)
100 ppm的
(0.01%)
+
_
+
_
0.5
µW
最大
温度系数（ k）的-0.035 ppm的/
O
C
2
注意：在温度T的频率f被涉及到频率f
0
at
拐点温度T
0
按： F-F
0
2
=
K（ T形
0
)
f
0
老龄化，第一年
5 ppm的
冲击，生存
振动，生存
工作温度。范围
5000克高峰， 0.3毫秒，半正弦
20克RMS ， 10-2,000赫兹随机
-10
O
C至+70
O
C（商业）
-40
O
C至+ 85
O
C（工业级）
-55
O
C至+ 125
O
C（军事）
-55℃ 〜+ 125 ç
260
O
下进行20秒。
O
O
(1)
注：C
D
和C
G
包括流浪布局，地面和C
S
是在晶体之间的杂散电容并联
终奌站。在实践中，将C的有效数值
L
将少
比从C计算
D
, C
G
和C
S
因为价值观
的放大器的输出电阻的影响。 ç
S
应
被最小化。
的振荡频率（f
0
）近似等于：
f
0
=
f
S
1
+
其中f
S
C
1
C
0
C
1
2(C
0
+ C
L
)
储存温度。范围
最大过程温度
*可用其他值
**提供更严格的公差
[
]
(2)
晶体=串联谐振频率
=动态电容
=并联电容
终端
传统的CMOS
皮尔斯振荡器电路。
称号
SM1
SM2
SM3
CX4VSM
终止
镀金
焊接镀
浸焊剂
- 托盘包装
- 16毫米胶带，7“或13”的卷轴
（参考磁带和卷轴数据表10109 ）
R
f
卜FF器
OSC
频率（F
O
)
封装选项
扩音器
R
A
HOW TO ORDER CX4VSM晶体
CX4V
S
C
C =陶瓷盖
空白=玻璃盖
“S”如有特殊或
定制设计。
空白，如果标准
SM1
32.768K , 100
频率
K =千赫
校准
公差
@25
O
C
（单位：ppm ）
/
I
C
G
SM1 =镀金
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
工作温度。范围：
C = -10
O
C至+70
O
C
I
= -40
O
C至+ 85
O
C
M = -55
O
C至+ 125
O
C
S =客户指定
CX4
XTAL
C
D
10103 - C版本
S
YS
ERT
T
E
M
C
IFIC
T
A
N
IO
RSG电子元件有限公司 - Sprendlinger Landstr 。 115 - 63069奥芬巴赫 - 德国 - www.rsg-electronic.de
IS
O
90
01
RSG [ RSG ELECTRONIC COMPONENTS GMBH ]
