RU1HE4H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU1HE4H
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 268 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU1HE4H

Typical Characteristics

Power Dissipation

Drain Current

- Junction Temperature (°C)

- Drain Current (A)

- Junction Temperature (°C)

tot

- Power (W)

Safe Operation Area

Thermal Transient Impedance

- Drain-Source Voltage (V)

Normalized Effective Transient

Square Wave Pulse Duration (sec)

Rev. A– MAR., 2011

- Drain Current (A)

www.ruichips.com

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