RU35122R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU35122R
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 490 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU35122R

Typical Characteristics

Drain-Source On Resistance

Source-Drain Diode Forward

Normalized On Resistance

- Junction Temperature (°C)

- Source Current (A)

- Source-Drain Voltage (V)

Capacitance

Gate Charge

- Drain-Source Voltage (V)

- Gate-Source Voltage (V)

C - Capacitance (pF)

- Gate Charge (nC)

Rev. C– MAR., 2011

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