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RU190N10R 参数 Datasheet PDF下载

RU190N10R图片预览
型号: RU190N10R
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内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 484 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU190N10
典型特征
功耗
漏电流
I
D
- 漏电流( A)
TJ - 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
瞬态热阻抗
V
DS
- 漏源电压( V)
P合计 - 功率(W )
标准化的有效瞬态
方波脉冲持续时间(秒)
3
Copyright Ruichips半导体有限公司
版本C - 一月, 2010
I
D
- 漏电流( A)
www.ruichips.com