RU1H130R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU1H130R
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 294 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU1H130R

N沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

• 100V / 110A ，

DS （ ON）

=10mΩ(tpy.)@V

=10V

•

超级高密度电池设计

•超低导通电阻

•

100％的雪崩测试

•提供无铅和绿色器件

（符合RoHS ）

引脚说明

TO-220

应用

•高效率同步

整改SMPS

•高速电源开关

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

符号

参数

等级

100

±25

175

-55至175

=25°C

110

①

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流（ V

=10V)

=25°C

=100°C

=25°C

=100°C

440

②

①

° C / W

110

θJC

③

300

150

0.5

①

最大功率耗散

热阻，结到管壳

漏源雪崩额定值

雪崩能量，单脉冲

552

修订版A-三月， 2012

www.ruichips.com

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