RU1H100S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU1H100S
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 449 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU1H100

N沟道先进的功率MOSFET

特点

•

100V/75A

引脚说明

（上）

= 11MΩ （典型值） @ V

=10V

•

超低导通电阻

•

DV dt能力极高/

•

快速切换和全额定雪崩

•

100％的雪崩测试

TO-220

TO-220F

TO-247

TO-263

应用

高速电源开关

不间断电源

绝对最大额定值

符号

参数

N沟道MOSFET

等级

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

=25°C

100

±25

175

-55至175

①

°C

安装在大型散热片

θJC

θJA

300μS漏电流脉冲测试

继续漏电流

最大功率耗散

热阻-Junction到案

热阻，结到环境

=25°C

=100°C

=25°C

=100°C

300

①

200

100

0.75

62.5

° C / W

漏源雪崩额定值

②

雪崩能量，单脉冲

存储温度范围

400

-55到150

Rev.A的-sep ，2010

www.ruichips.com

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