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型号: RU1H80P
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内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 515 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU1H80R
N沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
• 100V / 80A ,
R
DS ( ON)
=9
mΩ
(类型) @ V
GS
=10V,
I
DS
=40A
超低导通电阻
DV dt能力EXCEPTIONAL /
快速切换和全额定雪崩
100%的雪崩测试
175 ° C工作温度
•无铅和绿色可用
引脚说明
TO-220
TO-220F
TO-263
TO-247
应用
•大电流开关应用
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
等级
100
±25
175
-55至175
T
C
=25°C
80
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
I
DP
I
D
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
V
°C
°C
A
安装在大型散热片
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
P
D
R
θJC
320
80
A
A
最大功率耗散
热阻,结到管壳
T
C
=25°C
T
C
=100°C
68
176
88
W
° C / W
0.85
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量,单脉冲
600
mJ
Copyright Ruichips半导体有限公司
修订版A-十一月, 2010
www.ruichips.com