RU1HE3D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU1HE3D
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 244 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU1HE3D

N沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

• 100V / 3A ，

DS （ ON）

130mΩ

（类型）

=10V

DS （ ON）

140mΩ

（类型）

=4.5V

•

ESD保护

•

可靠，坚固耐用

•超低导通电阻

•

100％的雪崩测试

•无铅和绿色可用

引脚说明

SOT-223

应用

•

电源管理

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

符号

参数

等级

100

±20

150

-55到150

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

2.5

1.6

° C / W

①

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

θJA

②

连续漏电流

最大功率耗散

热阻，结到环境

版本C - 三月2011

www.ruichips.com

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