RU1HP40R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU1HP40R
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内容描述：	P沟道先进的功率MOSFET [P-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 303 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU1HP40R

P沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

• -100V / -45A ，

DS （ ON）

=25mΩ(tpy.)@V

=-10V

•

超级高密度电池设计

•

超低导通电阻

•

可靠，坚固耐用

•

100％的雪崩测试

•提供无铅和绿色器件

（符合RoHS ）

引脚说明

TO-220

应用

•

逆变器

P沟道MOSFET

绝对最大额定值

符号

参数

等级

-100

±25

175

-55至175

=25°C

-45

①

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

=25°C

=100°C

θJC

③

-180

-45

②

-36

150

° C / W

最大功率耗散

热阻，结到管壳

=25°C

=100°C

漏源雪崩额定值

雪崩能量，单脉冲

306

启D-十一月， 2011

www.ruichips.com

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