RU20D10H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU20D10H
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 255 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU20D10H

N沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

• 20V / 10A ，

DS （ ON）

=13

mΩ

（ TYP 。） @ V

=10V

DS （ ON）

=16

mΩ

（ TYP 。） @ V

=4.5V

•超级高密度电池设计

•

可靠，坚固耐用

•无铅和绿色可用

引脚说明

SOP-8

应用

•

SMPS

双N沟道MOSFET

绝对最大额定值

符号

参数

等级

±12

150

-55到150

=25°C

3.5

①

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

=25°C

=70°C

θJA

②

7.5

1.3

62.5

最大功率耗散

热阻，结到环境

=25°C

=70°C

° C / W

修订版A-八月， 2011

www.ruichips.com

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