RU2520H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU2520H
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 302 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU2520H

N沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

• 25V / 13A ，

DS （ ON）

mΩ

（类型） @ V

=10V

DS （ ON）

=14.5

mΩ

（类型） @ V

=4.5V

•超级高密度电池设计

•

快速切换和全额定雪崩

•

100％的雪崩测试

引脚说明

SOP-8

•无铅和绿色可用

应用

•

在笔记本电脑的电源管理

电脑，并在DC- DC转换器

网络系统。

绝对最大额定值

符号

参数

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

N沟道MOSFET

等级

±20

150

-55到150

=25°C

①

单位

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

=25°C

=70°C

θJA

②

9.8

2.5

1.6

最大功率耗散

热阻，结到环境

=25°C

=70°C

° C / W

漏源雪崩额定值

③

雪崩能量，单脉冲

110

修订版A-一月， 2011

www.ruichips.com

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