RU2H30Q 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU2H30Q
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 438 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU2H30Q

N沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

• 200V / 30A ，

DS （ ON）

=75

mΩ

（ TYP 。） @ V

=10V

•

超低导通电阻

•

快速切换和全额定雪崩

•

100％的雪崩测试

•

175 ° C工作温度

引脚说明

TO-220

TO-220F

TO-263

•无铅和绿色可用

TO-247

应用

•

交换应用系统

•

DC / DC转换器

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

符号

参数

等级

200

±25

175

-55至175

=25°C

①

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

=25°C

=100°C

θJC

③

120

②

最大功率耗散

热阻，结到管壳

=25°C

=100°C

180

②

° C / W

0.83

漏源雪崩额定值

雪崩能量，单脉冲

修订版A-七月， 2011

www.ruichips.com

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