RU2HE2D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU2HE2D
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 242 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU2HE2D

N沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

• 200V / 1.2A ，

DS （ ON）

= 0.95Ω （典型值）。

=10V

DS （ ON）

= 1Ω （典型值）。

=4.5V

•

ESD保护

•

可靠，坚固耐用

•快速开关

•无铅和绿色可用

引脚说明

SOT-223

应用

•

电源管理

•

DC-DC变换器

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

符号

参数

等级

200

±20

150

-55到150

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

4.5

1.2

0.9

2.5

1.6

° C / W

①

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

θJA

②

连续漏电流

最大功率耗散

热阻，结到环境

版本B - 七月2011

www.ruichips.com

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案