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RU30120M 参数 Datasheet PDF下载

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型号: RU30120M
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内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 297 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU30120M
N沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
• 30V / 120A ,
R
DS ( ON)
=2mΩ(tpy.)@V
=10V
R
DS ( ON)
=2.9mΩ(tpy.)@V
=4.5V
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
100%的雪崩测试
•提供无铅和绿色器件
(符合RoHS )
引脚说明
PDFN 5X6
应用
直流/直流转换
开关应用
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
等级
30
±20
150
-55到150
T
C
=25°C
50
单位
通用等级
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
V
°C
°C
A
安装在大型散热片
I
DP
300μS脉冲漏极电流测试
T
C
=25°C
T
C
=25°C
I
D
连续漏电流( V
GS
=10V)
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
C
=25°C
P
D
最大功率耗散
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Copyright Ruichips半导体有限公司
修订版A-二月, 2012
410
A
A
120
97
30
24
96
38
4.2
2.7
W
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