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型号: RU30L15H
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内容描述: P沟道先进的功率MOSFET [P-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 298 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU30L15H
P沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
• -30V / -14.5A ,
R
DS ( ON)
=13
mΩ
(类型) @ V
GS
=-10V
R
DS ( ON)
=22
mΩ
(类型) @ V
GS
=-4.5V
•超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
ESD保护
引脚说明
SOP-8
•无铅和绿色可用
应用
负载开关。
PWM应用。
绝对最大额定值
符号
参数
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
I
DP
I
D
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
P沟道MOSFET
等级
-30
±20
150
-55到150
T
C
=25°C
-14.5
单位
V
°C
°C
A
安装在大型散热片
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=70°C
P
D
R
θJA
-58
A
A
-14.5
-11
3.1
2.0
40
最大功率耗散
热阻,结到环境
T
C
=25°C
T
C
=70°C
W
° C / W
Copyright Ruichips半导体有限公司
启B-四月2011
www.ruichips.com