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RU35122R 参数 Datasheet PDF下载

RU35122R图片预览
型号: RU35122R
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内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 490 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU35122R
典型特征
输出特性
漏源导通电阻
V
DS
- 漏源电压( V)
R
DS ( ON)
- 导通电阻( MΩ)
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
漏源导通电阻
栅极阈值电压
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
归一化阈值电压
T
j
- 结温( ° C)
4
Copyright Ruichips半导体有限公司
修订版C-三月, 2011
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
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