欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

RU3560L 参数 Datasheet PDF下载

RU3560L图片预览
型号: RU3560L
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 328 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
 浏览型号RU3560L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RU3560L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RU3560L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RU3560L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RU3560L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RU3560L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号RU3560L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号RU3560L的Datasheet PDF文件第9页  
RU3560L
N沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
• 40V / 50A ,
R
DS ( ON)
=13mΩ(tpy.)@V
=10V
R
DS ( ON)
=18mΩ(tpy.)@V
=4.5V
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
快速切换和全额定雪崩
引脚说明
TO252
•提供无铅和绿色器件
(符合RoHS )
应用
低压变频器的应用
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
等级
40
±20
175
-55至175
T
C
=25°C
50
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
I
DP
I
D
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
V
°C
°C
A
安装在大型散热片
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
P
D
R
θJC
200
50
A
A
40
50
25
3
W
° C / W
最大功率耗散
热阻,结到管壳
T
C
=25°C
T
C
=100°C
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量,单脉冲
100
mJ
Copyright Ruichips半导体有限公司
修订版A-二月, 2011
www.ruichips.com