RU5H8R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU5H8R
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 284 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU5H8R

N沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

•500V/8A,

DS （ ON）

0.7Ω

（典型值）。

=10V

•

栅极电荷最小化

•

低的Crss （典型值26pF ）

•极高的dv / dt能力

•

100％的雪崩测试

•无铅和绿色可用

引脚说明

TO-220

应用

•

高效率开关模式电源

耗材

•

灯光

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

符号

参数

等级

500

±30

150

-55到150

=25°C

=100°C

=25°C

=100°C

①

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

①

θJC

②

5.6

114

1.1

最大功率耗散

热阻，结到管壳

° C / W

漏源雪崩额定值

雪崩能量，单脉冲

版本A - 2012年5月

www.ruichips.com

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