RU6055L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU6055L
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 275 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU6055L

N沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

• 60V / 60A ，

DS （ ON）

=10mΩ(tpy.)@V

=10V

•

超级高密度电池设计

•

100％的雪崩测试

•提供无铅和绿色器件

（符合RoHS ）

引脚说明

TO-252

应用

• DC-DC转换器和离线式UPS

•高速电源开关

•高频电路

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

符号

参数

等级

±25

175

-55至175

=25°C

①

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

=25°C

=100°C

θJC

③

240

° C / W

②

最大功率耗散

热阻，结到管壳

=25°C

=100°C

1.55

漏源雪崩额定值

雪崩能量，单脉冲

121

修订版A-二月， 2011

www.ruichips.com

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