RU6099R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU6099R
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 423 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU6099

N沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

• 60V / 120A ，

DS （ ON）

mΩ

（类型）V

=10V

=40A

•

超低导通电阻

•

DV dt能力EXCEPTIONAL /

•

快速切换和全额定雪崩

•

100％的雪崩测试

•

175 ° C工作温度

•无铅和绿色可用

引脚说明

TO-220

TO-220F

TO-263

TO-247

应用

•

交换应用系统

•

逆变器系统

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

符号

参数

等级

±25

175

-55至175

=25°C

=100°C

θJC

最大功率耗散

热阻，结到管壳

=25°C

=100°C

120

（最大）

380

120

①

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

200

150

0.8

1000

° C / W

漏源雪崩额定值

雪崩能量，单脉冲

修订版A-九月， 2009年

www.ruichips.com

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