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RU60E25L 参数 Datasheet PDF下载

RU60E25L图片预览
型号: RU60E25L
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内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 277 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU60E25L
电气特性
符号
静态特性
BV
DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
RU60E25L
分钟。
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
= 0V时,我
DS
=250µA
V
DS
= 60V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250µA
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=25A
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=17A
60
1
30
1.5
2
2.7
±10
35
42
40
48
V
µA
V
µA
mΩ
mΩ
二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 25A ,V
GS
=0V
I
SD
= 25A , DL
SD
/dt=100A/µs
0.8
40
70
1.2
V
ns
nC
pF
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
= 30V,
Frequency=1.0MHz
1.8
1340
285
90
10
13
28
15
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 30V ,R
L
=2.4Ω,
I
DS
= 25A ,V
= 10V,
R
G
=6Ω
ns
栅极电荷特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
注意事项:
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=48V, V
GS
= 10V,
I
DS
=25A
55
8
28
nC
脉冲宽度有限的安全工作区。
基于最大允许结温计算的连续电流。
限制T
JMAX
, I
AS
= 11A ,V
DD
= 48V ,R
G
= 50Ω ,起始物为
J
= 25°C.
脉冲测试;脉冲width≤300μs ,值班cycle≤2 % 。
通过设计保证,不受生产测试。
Copyright Ruichips半导体有限公司
修订版A-二月, 2011
2
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