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RU60E16R 参数 Datasheet PDF下载

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型号: RU60E16R
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内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 289 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU60E16R
N沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
• 60V / 16A ,
R
DS ( ON)
=60mΩ(tpy.)@V
=10V
R
DS ( ON)
=75mΩ(tpy.)@V
=4.5V
超级高密度电池设计
•ESD保护
100%的雪崩测试
•提供无铅和绿色器件
(符合RoHS )
引脚说明
TO-220
应用
•电源管理
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
等级
60
±20
175
-55至175
T
C
=25°C
16
单位
通用等级
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
V
°C
°C
A
安装在大型散热片
I
DP
I
D
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流( V
GS
=10V)
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
64
A
A
W
W
° C / W
16
13
42
21
P
D
R
θJC
最大功率耗散
热阻,结到管壳
3.5
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量,单脉冲
30
mJ
www.ruichips.com
Copyright Ruichips半导体有限公司
修订版A-十二月, 2011