RU6199R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU6199R
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 470 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU6199

N沟道先进的功率MOSFET

特点

引脚说明

60V/200A

（上）

= 2.8毫欧（典型值） @ V

=10V

额定雪崩

可靠，坚固耐用

无铅和绿色设备可用

应用

TO-220

TO-220F

TO-263

TO-247

汽车应用和一个宽

各种其它应用

高效率同步开关电源中

高速电源开关

绝对最大额定值

符号

参数

N沟道MOSFET

等级

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

=25°C

±25

175

-55至175

200

①

②

°C

安装在大型散热片

θJC

θJA

300μS漏电流脉冲测试

继续漏电流

最大功率耗散

热阻-Junction到案

热阻，结到环境

°C

=25°C

=100°C

=25°C

=100°C

800

200

140

380

220

0.45

62.5

° C / W

漏源雪崩额定值

雪崩能量，单脉冲

存储温度范围

1500

-55到150

版本A - 一月2010

www.ruichips.com

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