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    RU6888M 参数 Datasheet PDF下载

    RU6888M图片预览
    型号： RU6888M
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 295 K
    品牌： RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
     浏览型号RU6888M的Datasheet PDF文件第1页浏览型号RU6888M的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RU6888M的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RU6888M的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RU6888M的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RU6888M的Datasheet PDF文件第7页浏览型号RU6888M的Datasheet PDF文件第8页浏览型号RU6888M的Datasheet PDF文件第9页  
    RU6888M
    安装在大型散热片
    R
    θJC
    R
    θJA
    ③
    热阻，结到管壳
    热阻，结到环境
    2
    30
    ° C / W
    ° C / W
    漏源雪崩额定值
    E
    AS
    ④
    雪崩能量，单脉冲
    225
    mJ
    电气特性
    符号
    静态特性
    BV
    DSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    R
    DS （ ON）
    ⑤
    (T
    C
    = 25 ° C除非另有说明）
    RU6888M
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    参数
    测试条件
    单位
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    漏源导通电阻
    V
    GS
    = 0V时，我
    DS
    =250µA
    V
    DS
    = 60V, V
    GS
    =0V
    T
    J
    =85°C
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    DS
    =250µA
    V
    GS
    =±25V, V
    DS
    =0V
    V
    GS
    = 10V ，我
    DS
    =40A
    60
    1
    30
    2
    3
    4
    ±100
    7
    8
    V
    µA
    V
    nA
    mΩ
    二极管的特性
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    ⑤
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    ⑥
    I
    SD
    = 40A ，V
    GS
    =0V
    I
    SD
    = 20A ， DL
    SD
    /dt=100A/µs
    32
    40
    1.2
    V
    ns
    nC
    动态特性
    R
    G
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    栅极电阻
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    ⑥
    V
    GS
    =0V,V
    DS
    =0V,F=1MHz
    V
    GS
    =0V,
    V
    DS
    =30V,
    Frequency=1.0MHz
    1.4
    3450
    310
    110
    27
    32
    97
    67
    Ω
    pF
    V
    DD
    = 30V ，R
    L
    =1.5Ω,
    I
    DS
    = 20A ，V
    根
    =10V,
    R
    G
    =3Ω
    ns
    栅极电荷特性
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    总栅极电荷
    75
    V
    DS
    =48V, V
    GS
    =10V,
    I
    DS
    =20A
    18
    23
    nC
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    Copyright Ruichips半导体有限公司
    修订版A-十二月， 2011
    2
    www.ruichips.com

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