RU6H10P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU6H10P
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 451 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU6H10P

N沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

• 600V / 10A ，

DS （ ON）

0.65Ω

（类型）

=10V

•

栅极电荷最小化

•

低的Crss （典型值15pF的）

•极高的dv / dt能力

•

100％的雪崩测试

•无铅和绿色可用

引脚说明

TO-220

TO-220F

TO-263

TO-247

应用

•

高效率开关模式电源

耗材

•

基于上半年电子镇流器

桥

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

符号

参数

等级

600

±30

150

-55到150

=25°C

=100°C

=25°C

=100°C

①

单位

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

°C

° C / W

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

θJC

②

连续漏电流

最大功率耗散

热阻，结到管壳

①

3.6

漏源雪崩额定值

雪崩能量，单脉冲

450

版本B - 一月， 2011

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