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型号: RU6H9R
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内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 288 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU6H9R
N沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
• 600V / 9.5A ,
R
DS ( ON)
=
0.7Ω
(典型值)。
@
V
GS
=10V
栅极电荷最小化
低的Crss (典型值20pF的)
•极高的dv / dt能力
100%的雪崩测试
•无铅和绿色可用
引脚说明
TO-220
应用
高效率开关模式电源
耗材
灯光
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
等级
600
±30
150
-55到150
T
C
=25°C
9.5
单位
通用等级
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
V
°C
°C
A
安装在大型散热片
I
DP
I
D
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流( V
GS
=10V)
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
38
A
A
W
W
° C / W
9.5
6.2
62
0.8
P
D
R
θJC
156
最大功率耗散
热阻,结到管壳
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量,单脉冲
10
mJ
www.ruichips.com
Copyright Ruichips半导体有限公司
修订版A-二月, 2012