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型号: RU70100R
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内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 496 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU70100R
N沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
• 70V / 100A ,
R
DS ( ON)
=4.5
mΩ
(类型) @ V
GS
=10V,
I
DS
=40A
超低导通电阻
DV dt能力EXCEPTIONAL /
快速切换和全额定雪崩
100%的雪崩测试
175 ° C工作温度
•无铅和绿色可用
引脚说明
TO-220
TO-220F
TO-263
TO-247
应用
交换应用系统
逆变器系统
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
等级
70
±25
175
-55至175
T
C
=25°C
100
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
I
DP
I
D
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
V
°C
°C
A
安装在大型散热片
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
P
D
R
θJC
400
A
A
100
90
最大功率耗散
热阻,结到管壳
T
C
=25°C
T
C
=100°C
188
95
0.8
W
° C / W
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量,单脉冲
800
mJ
Copyright Ruichips半导体有限公司
修订版A-九月, 2010
www.ruichips.com