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RU80N15Q 参数 Datasheet PDF下载

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型号: RU80N15Q
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内容描述: N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 495 K
品牌: RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
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RU80N15
N沟道先进的功率MOSFET
特点
引脚说明
·
150V/80A
R
DS
(上)
= 31mΩ (典型值) @ V
GS
=10V
·
额定雪崩
·
可靠,坚固耐用
·
无铅和绿色设备可用
应用
TO-220
TO-220F
TO-263
TO-247
·
汽车应用和一个宽
各种其它应用
·
高效率同步开关电源中
·
高速电源开关
绝对最大额定值
符号
参数
N沟道MOSFET
等级
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
T
C
=25°C
150
±25
175
-55至175
80
V
°C
°C
A
I
S
安装在大型散热片
I
DP
I
D
P
D
R
θJC
R
θJA
300μS漏电流脉冲测试
继续漏电流
最大功率耗散
热阻-Junction到案
热阻,结到环境
T
C
=
25
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
300
80
60
A
400
220
0.45
62.5
W
° C / W
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量,单脉冲
存储温度范围
1000
mJ
-55到150
Copyright Ruichips半导体有限公司
版本C - 一月, 2010
www.ruichips.com