RU8205C6 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RU8205C6
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内容描述：	N沟道先进的功率MOSFET [N-Channel Advanced Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 257 K
品牌：	RUICHIPS [ RUICHIPS SEMICONDUCTOR CO., LTD ]

RU8205C6

N沟道先进的功率MOSFET

MOSFET

特点

• 20V / 6A ，

DS （ ON）

=22

mΩ

（ TYP 。） @ V

=4.5V

DS （ ON）

=30

mΩ

（ TYP 。） @ V

=2.5V

•超级高密度电池设计

•

可靠，坚固耐用

•无铅和绿色可用

引脚说明

SOT-23-6

应用

•

电源管理

绝对最大额定值

符号

参数

通用等级

= 25 ° C除非另有说明）

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

双N沟道MOSFET

等级

±12

150

-55到150

=25°C

1.7

①

单位

°C

安装在大型散热片

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流（ VGS = 4.5V ）

=25°C

=70°C

θJA

②

4.5

1.25

0.8

100

最大功率耗散

热阻，结到环境

=25°C

=70°C

° C / W

修订版A-十一月2011

www.ruichips.com

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