K4D263238E-GC
128M GDDR SDRAM
1M X 32位×4银行图形双数据速率同步DRAM
用双向数据选通和DLL
特点
• VDD / VDDQ = 2.8V ±5％ -GC25
• VDD / VDDQ = 2.5V ±5％ -GC2A / 33 /36 /四十五分之四十○
• SSTL_2兼容输入/输出
• 4银行操作
• MRS循环地址重点项目
- 。读取延迟3 ，图4，图5（时钟）
- 。突发长度（ 2 ， 4 ， 8和全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
•全页突发长度为顺序突发类型只
•全页突发的起始地址应该是偶数
•除了数据& DM所有输入进行采样，正
将系统时钟的边沿
•差分时钟输入
•无Wrtie -打断读取功能
• 4 DQS的（ 1DQS /字节）
•数据I /数据选通信号的两边O事务
• DLL对齐DQ和DQS转换与时钟转换
•边沿对齐的数据&数据选通输出
•中心对齐数据&数据选通输入
• DM只写屏蔽
•自动&自我刷新
• 32ms的刷新周期（ 4K周期）
• 144球FBGA
•最高时钟频率可达400MHz
•最大数据传输速率高达800Mbps /针
订购信息
产品型号
K4D263238E-GC25
K4D263238E-GC2A
K4D263238E-GC33
K4D263238E-GC36
K4D263238E-GC40
K4D263238E-GC45
最大频率。
400MHz
350MHz
300MHz
275MHz
250MHz
222MHz
最大数据速率
800Mbps/pin
700Mbps/pin
600Mbps/pin
550Mbps/pin
500Mbps/pin
444Mbps/pin
SSTL_2
(VDD/VDDQ=2.5V)
144球FBGA
接口
SSTL_2
(VDD/VDDQ=2.8V)
包
K4D263238E -VC是无铅封装部件编号。
概述
FOR 1M X 32位×4银行DDR SDRAM
该K4D263238E是134217728位超同步数据速率动态随机存储器划分为4 x1,048,576用字
32位，制造与三星
’
s高性能CMOS技术。有数据选通同步功能可让
极高的性能高达3.2GB / S /芯片。 I / O事务处理可在时钟周期的两端。范围
的工作频率，可编程脉冲串长度和可编程延迟允许该设备可用于各种有用
高性能存储系统的应用程序。
- 3 -
REV 1.7 （ 2003年11月）
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
