SDRAM 128Mb的F-模（ X4，X8 ， X16 ）
直流特性（ X16 ）
（推荐的工作条件，除非另有说明，T
A
= 0 〜70℃ ）
参数
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流在
掉电模式
预充电待机电流在
非掉电模式
在活动待机电流
掉电模式
在活动待机电流
非掉电模式
（一银行活动）
工作电流
（突发模式）
刷新当前
自刷新电流
符号
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
测试条件
CMOS SDRAM
VERSION
60
130
2
2
20
75
100
单位
记
I
CC1
I
CC2
P
mA
1
I
CC2
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
N
mA
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
NS
输入信号是稳定的
I
CC3
P
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
C
L
150
220
I
CC3
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC3
N
I
CC3
NS
I
CC4
I
CC5
I
CC6
mA
10
5
5
30
25
mA
mA
mA
140
200
2
800
mA
mA
mA
uA
1
2
3
4
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3. K4S281632F -TC
4. K4S281632F -TL
5.除非另有说明，输入摆动IeveI是CMOS （Ⅴ
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ ）
修订版1.2 2004年5月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
