K4S561633F - X（ Z） E / N / G / C / L / F
大4M x 16Bit的×4银行移动SDRAM的54BOC
特点
• 3.0V & 3.3V电源。
• LVCMOS与复用地址兼容。
•四家银行的操作。
• MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
• EMRS周期地址重点项目。
•所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟
•突发读取单个位的写操作。
•特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。内部TCSR （温度补偿自刷新）
• DQM用于屏蔽。
•自动刷新。
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•
64ms的刷新周期（ 8K循环） 。
商业操作温度（ -25 ° C〜 70 ° C） 。
扩展温度操作（ -25 ° C〜 85°C ） 。
54Balls中行，具有0.8mm焊球间距
（ -X ：含铅， -Z ：无铅） 。
移动SDRAM
概述
该K4S561633F是268435456位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 4196304字16位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟和I / O的交易可能在每个
时钟周期。工作频率范围，可编程
突发长度和可编程延迟允许在同一设备
要为各种高带宽，高性能有用
存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4S561633F-X(Z)E/N/G/C/L/F75
K4S561633F-X(Z)E/N/G/C/L/F1H
K4S561633F-X(Z)E/N/G/C/L/F1L
最大频率。
133MHz(CL=3)
105MHz(CL=2)
105MHz(CL=3)
*1
LVCMOS
54中银
有铅（无铅）
接口
包
- X（ Z） E / N / G：普通/低/低功耗，宽温（ -25 ° C〜 85°C ）
- X（ Z） C / L / F ：普通/低/低功耗，商用温度（ -25 ° C〜 70 ° C）
注意事项：
1.对于40MHz的频率， CL1可以得到支持。
2.三星没有设计或制造用于在设备或系统，该系统是根据情况使用在人的生命是可能处于危险中。
请在三星电子考虑产品所包含的任何具体使用时，接触到存储器的营销团队
目的，如医疗，航空航天，核能，军工，汽车或海底中继器的使用。
2004年2月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
