SDRAM 64Mb的H-模（ X4，X8 ， X16 ）
DC特性
（推荐的工作条件，除非另有说明，T
A
= 0〜 70℃ ×4 ，×8 ）
参数
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流在
掉电模式
预充电待机电流在
非掉电模式
在活动待机电流
掉电模式
在活动待机电流
非掉电模式
（一银行活动）
符号
测试条件
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
VERSION
75
75
1
1
15
CMOS SDRAM
单位
记
I
CC1
I
CC2
P
I
CC2
PS
I
CC2
N
mA
mA
1
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
NS
输入信号是稳定的
I
CC3
P
I
CC3
PS
I
CC3
N
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
mA
6
3
3
30
mA
25
mA
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC3
NS
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
C
L
工作电流
（突发模式）
刷新当前
自刷新电流
I
CC4
115
mA
1
I
CC5
I
CC6
135
1
400
mA
mA
uA
2
3
4
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3. K4S6404 （ 08 ） 32H -TC **
4. K4S6404 （08） 32H -TL **
5.除非另有说明，输入摆动IeveI是CMOS （Ⅴ
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ ）
修订版1.3 2004年8月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
