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K4T51163QC-ZCE6 参数 Datasheet PDF下载

K4T51163QC-ZCE6图片预览
型号: K4T51163QC-ZCE6
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内容描述: 512MB C-死DDR2 SDRAM [512Mb C-die DDR2 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 29 页 / 629 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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512MB C-死DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
2.封装引脚/机械尺寸&地址
2.1封装引脚
X4封装引脚(顶视图) : 60ball FBGA封装
1
VDD
NC
VDDQ
NC
VDDL
2
NC
VSSQ
DQ1
VSSQ
VREF
CKE
3
VSS
DM
VDDQ
DQ3
VSS
WE
BA1
A1
A5
A9
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
7
VSSQ
的DQ
VDDQ
DQ2
VSSDL
RAS
CAS
A2
A6
A11
NC
8
的DQ
VSSQ
DQ0
VSSQ
CK
CK
CS
A0
A4
A8
A13
9
VDDQ
NC
VDDQ
NC
VDD
ODT
NC
BA0
A10/AP
VDD
VSS
A3
A7
VSS
VDD
A12
注意事项:
1.引脚B3具有相同的电容引脚为B7 。
2. VDDL和VSSDL的电源和接地的DLL。
球的位置( X4)
:填充的球
+ :无人区球
顶视图
(参阅通过包球)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
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+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
第29页4
修订版1.4 2005年08月