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K6F2008V2E-YF70 参数 Datasheet PDF下载

K6F2008V2E-YF70图片预览
型号: K6F2008V2E-YF70
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内容描述: 256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 136 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K6F2008V2E家庭
文档标题
CMOS SRAM
256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
1.1
最初的草案
敲定
草案日期
2001年7月19日
2001年9月27日
备注
初步
最终科幻
最终科幻
修订
2003年5月13日
- 增加了无铅( LF ),产品32 TSOP1-0813.4F ( LF )封装。
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留更改规格的权利,
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系三星分公司。
1
修订版1.1
2003年5月