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    K6R1008C1D-TI10 参数 Datasheet PDF下载

    K6R1008C1D-TI10图片预览
    型号： K6R1008C1D-TI10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Kx4位（与OE ）高速CMOS静态RAM （ 5.0V工作） 。 [256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 190 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6R1008C1D-TI10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6R1008C1D-TI10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6R1008C1D-TI10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6R1008C1D-TI10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6R1008C1D-TI10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6R1008C1D-TI10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6R1008C1D-TI10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6R1008C1D-TI10的Datasheet PDF文件第9页  
    K6R1004C1D
    文档标题
    初步
    初步
    CMOS SRAM
    256Kx4位（与OE ）高速CMOS静态RAM （ 5.0V工作） 。
    修订历史
    版本号
    修订版0.0
    修订版0.1
    修订版0.2
    历史
    最初的版本有初步。
    目前修改
    1.删除15ns的速度斌。
    2.切换电流Icc工业模式。
    项
    10ns
    I
    CC （工业）
    12ns
    数据稿
    六月。 8. 2001
    九月。 9. 2001年
    十二月。 18. 2001
    前
    85mA
    75mA
    当前
    75mA
    65mA
    六月。 19. 2002年
    最终科幻
    备注
    初步
    初步
    初步
    1.0版
    1.最终数据发布。
    2.删除UB ， LB releated的交流特性和时序图。
    1.删除速度为12ns仓。
    1.添加无铅封装类型。
    修订版2.0
    修订版3.0
    七月。 8. 2002年
    七月。 26，2004
    最终科幻
    最终科幻
    所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
    规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
    系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
    -1-
    修订版3.0
    2004年7月

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