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    K6R4016C1D-TC10 参数 Datasheet PDF下载

    K6R4016C1D-TC10图片预览
    型号： K6R4016C1D-TC10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Kx16位高速静态RAM （ 5.0V工作） 。工作在商用和工业温度范围。 [256Kx16 Bit High Speed Static RAM(5.0V Operating). Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 142 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6R4016C1D-TC10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6R4016C1D-TC10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6R4016C1D-TC10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6R4016C1D-TC10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6R4016C1D-TC10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6R4016C1D-TC10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6R4016C1D-TC10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6R4016C1D-TC10的Datasheet PDF文件第9页  
    PRELIMPreliminaryPPPPPPPPPINARY
    K6R4016C1D
    文档标题
    256Kx16位高速静态RAM （ 5.0V工作） 。
    工作在商用和工业温度范围。
    CMOS SRAM
    修订历史
    REV号
    修订版0.0
    修订版0.1
    修订版0.2
    历史
    最初的版本有初步。
    第11页上的封装尺寸修改。
    改变电流Icc ， ISB和ISB1
    项
    I
    CC （商业）
    10ns
    12ns
    15ns
    10ns
    12ns
    15ns
    前
    90mA
    80mA
    70mA
    115mA
    100mA
    85mA
    30mA
    10mA
    当前
    65mA
    55mA
    45mA
    85mA
    75mA
    65mA
    20mA
    5mA
    数据稿
    九月。 7. 2001年
    Septermber.28 。 2001年
    2001年11月， 3 ，
    备注
    初步
    初步
    初步
    I
    CC （工业）
    I
    SB
    I
    SB1(Normal)
    修订版0.3
    1.正确的交流参数：读&写周期
    2. Corrrect电源部分：删除"P ，工业，低Power"部分
    3.删除数据保持特性
    1.删除15ns的速度斌。
    2.切换电流Icc工业模式。
    项
    10ns
    I
    CC （工业）
    12ns
    1.最终数据发布。
    2.删除速度为12ns仓。
    1.添加无铅封装类型。
    2001年11月23日，
    初步
    修订版0.4
    2001年12月18日，
    前
    85mA
    75mA
    当前
    75mA
    65mA
    2002年7月， 09 ，
    初步
    1.0版
    最终科幻
    修订版2.0
    六月。 20 ， 2003
    最终科幻
    所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留到c的权利
    焊割的
    规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
    系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
    -1-
    修订版2.0
    2003年6月

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