K6R4016C1D-JI10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	K6R4016C1D-JI10
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内容描述：	1Mx4位高速静态RAM （ 5.0V操作） [1Mx4 Bit High Speed Static RAM(5.0V Operating)]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小：	9 页 / 220 K
品牌：	SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]

K6R4004C1D

文档标题

1Mx4位高速静态RAM （ 5.0V工作）。

工作在商用和工业温度范围。

初步

CMOS SRAM

修订历史

REV号

修订版0.0

修订版0.1

历史

最初的版本有初步。

更改IC卡。 ISB和ISB1

项

CC （商业）

10ns

12ns

15ns

10ns

12ns

15ns

前

90mA

80mA

70mA

115mA

100mA

85mA

30mA

10mA

当前

65mA

55mA

45mA

85mA

75mA

65mA

20mA

5mA

数据稿

九月。 7. 2001年

3. 2001年11月

备注

初步

CC （工业）

SB1

修订版0.2

1.正确的交流参数：读&写周期毫安

2.删除低版本。

3.删除数据保持特性

1.删除15ns的速度斌。

2.切换电流Icc工业模式。

项

10ns

CC （工业）

12ns

3. 2001年11月

初步

修订版0.3

前

85mA

75mA

当前

75mA

65mA

月， 2001年18

初步

1.0版

1.最终数据发布。

2.删除速度为12ns仓。

3.删除UB ， LB releated的交流特性和时序图。

4.正确的读周期时间波形（ 2 ）。

1.添加无铅封装类型。

2002年7月， 09 ，

最终科幻

修订版2.0

七月。 26，2004

最终科幻

所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留随时更改的权利

规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-

系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。

-1-

修订版2.0

2004年7月

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