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    K6T1008C2C-DB70 参数 Datasheet PDF下载

    K6T1008C2C-DB70图片预览
    型号： K6T1008C2C-DB70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×8位低功耗CMOS静态RAM [128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 191 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6T1008C2C-DB70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6T1008C2C-DB70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6T1008C2C-DB70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6T1008C2C-DB70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6T1008C2C-DB70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6T1008C2C-DB70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6T1008C2C-DB70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6T1008C2C-DB70的Datasheet PDF文件第9页  
    初步
    K6T1008C2C家庭
    文档标题
    128K ×8位低功耗CMOS静态RAM
    CMOS SRAM
    修订历史
    版本号
    0.0
    0.1
    历史
    最初的草案
    第一次修订
    - 独立的读取和写入的我
    CC
    , I
    CC1
    I
    CC =
    I
    CC1
    →
    阅读： 15毫安，写： 35毫安
    敲定
    - 添加70ns的速度斌的商业产品和85ns的速度
    滨工业。
    修订
    - 改进工作电流
    添加典型值。
    I
    CC
    阅读： 15毫安
    →
    10毫安（删除写入电流）
    I
    CC2
    ： 90毫安
    →
    60mA
    - 速度斌变化
    取下商业部分为45nS
    去除工业零件55ns和100ns的。
    草案日期
    1995年11月22日
    1996年4月15日
    备注
    设计目标
    初步
    1.0
    1996年9月5日
    最终科幻
    2.0
    1997年11月5日
    最终科幻
    所附的数据表是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
    产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
    1
    2.0版
    1997年11月

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