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K6T1008C2E-DL70 参数 Datasheet PDF下载

K6T1008C2E-DL70图片预览
型号: K6T1008C2E-DL70
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内容描述: 128Kx8位低功耗CMOS静态RAM [128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 192 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K6T1008C2E家庭
文档标题
128Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
1.0
历史
设计目标
敲定
- 改进吨
WP
形成55ns至50ns的为70ns的产品。
- 请从工业产品55ns的速度仓。
勘误校正
修改
修改
- 添加55ns部分工业产品。
数据稿
1998年10月12日
1999年8月30日
备注
初步
最终科幻
1.01
2.0
3.0
1999年12月1日
2000年2月14日
2000年3月3日
最终科幻
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问,请联系三星分公司。
1
修订版3.0
2000年3月