K6T1008C2E家庭
128Kx8位低功耗CMOS静态RAM
特点
•
工艺技术： TFT
•
组织： 128Kx8
•
电源电压： 4.5 〜 5.5V
•
低数据保持电压： 2V （最小值）
•
三态输出与TTL兼容
•
封装类型： 32 - DIP -600 ， 32 - SOP- 525 ，
32-TSOP1-0820F/R
CMOS SRAM
概述
该K6T1008C2E家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
不同的工作温度范围和具有各种封装
年龄类型的系统设计的用户灵活性。家庭
还支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
K6T1008C2E-L
K6T1008C2E-B
K6T1008C2E-P
K6T1008C2E-F
1.参数与50pF的测试负载测试
工作温度
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
，最大值）
50µA
10µA
50µA
15µA
操作
(I
CC2,
MAX ）
PKG型
Commercial(0~70°C)
4.5~5.5V
Industrial(-40~85°C)
55
1)
/70ns
32 -DIP -600 ， 32 -SOP -525
32-TSOP1-0820F/R
50mA
32 -SOP -525
32-TSOP1-0820F/R
引脚说明
A11
A9
A8
A13
VCC我们
CS2
A15 A15
VCC
CS2 NC
WE A16
A14
A13 A12
A7
A8
A6
A5
A9
A4
A11
OE
A4
A5
CS1 A6
A7
I / O8 A12
A14
I / O7 A16
I / O6 NC
VCC
I / O5 A15
CS2
I/O4
WE
A13
A8
A9
A11
A10
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS1
A10
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
N.C
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
32-TSOP
Type1-Forward
生
地址
32-SOP
32-DIP
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
128 × 8列
I / O
1
I / O
8
32-TSOP
Type1-Reverse
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
列地址
名字
CS
1
， CS
2
OE
WE
I / O
1
-I / O
8
A
0
~A
16
VCC
VSS
北卡罗来纳州
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
数据输入/输出
地址输入
动力
地
无连接
CS
1
CS
2
WE
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版3.0
2000年3月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
