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    K6T2008U2A-YF85 参数 Datasheet PDF下载

    K6T2008U2A-YF85图片预览
    型号： K6T2008U2A-YF85
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Kx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM [256Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 194 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6T2008U2A-YF85的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6T2008U2A-YF85的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6T2008U2A-YF85的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6T2008U2A-YF85的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6T2008U2A-YF85的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6T2008U2A-YF85的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6T2008U2A-YF85的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6T2008U2A-YF85的Datasheet PDF文件第9页  
    K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭
    文档标题
    256Kx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
    CMOS SRAM
    修订历史
    版本号
    0.0
    1.0
    2.0
    历史
    设计目标
    敲定
    修订
    - 添加FBGA封装类型
    勘误校正
    - 删除TTL Compatible'from特点
    ’
    数据稿
    1998年5月26日
    1998年10月8日
    1999年7月21日
    备注
    ADVANCE
    最终科幻
    最终科幻
    2.01
    2001年10月24日
    最终科幻
    所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
    产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
    修订版2.01
    2001年10月

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