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K6T4008V1C-MF70 参数 Datasheet PDF下载

K6T4008V1C-MF70图片预览
型号: K6T4008V1C-MF70
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内容描述: 512Kx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM [512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 188 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K6T4008V1C , K6T4008U1C家庭
文档标题
512Kx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
最初的草案
Revisied
- 速度斌变化
KM68U4000C : 85 / 100纳秒
70/85/100ns
- 直流特性变化
I
CC
: 5毫安在读/写
4毫安在读
I
CC1
: 3毫安
4mA
I
CC2
: 35毫安
30mA
I
SB
: 0.5毫安
0.3mA
I
SB1
: 10µA
15μA的商业部分
- 添加32 TSOP1-0820
正确的勘误表
- 32 TSOP1-0813产品:T已
TG
敲定
数据稿
1998年1月13日
1998年6月12日
备注
ADVANCE
初步
0.11
1998年11月7日
1.0
1999年1月15日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留更改规格的权利,
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系三星分公司。
1
修订版1.0
1999年1月