K6T4008C1B家庭
512Kx8位低功耗CMOS静态RAM
特点
•
工艺技术： TFT
•
组织： 512Kx8
•
电源电压： 4.5 〜 5.5V
•
低数据保持电压： 2V （最小值）
•
三态输出与TTL兼容
•
封装类型： 32 - DIP -600 ， 32 - SOP- 525
32-TSOP2-400F/R
CMOS SRAM
概述
该K6T4008C1B家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
不同的工作温度范围和各种包
类型系统设计的用户灵活性。该系列还
支持低数据保持电压为电池后备能操作
通报BULLETIN低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列工作温度范围的Vcc
速度
待机
(I
SB1
，最大值）
100µA
20µA
4.5~5.5V
Inderstrial （ -40〜 85°C ）
55
1)
/70ns
100µA
50µA
80mA
32-SOP-525
32-TSOP2-400F/R
操作
(I
CC2
，最大值）
PKG型
K6T4008C1B-L
K6T4008C1B-B
K6T4008C1B-P
K6T4008C1B-F
商业级（0 〜 70 ° C）
32 -DIP -600 ， 32 -SOP -525
32-TSOP2-400F/R
1.参数的测量条件为50pF的测试负载。
引脚说明
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
功能框图
CLK GEN 。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I / O
1
I / O
8
A18
A16
A14
A12
A7
预充电电路。
32-DIP
32-SOP
32-TSOP2
（向前）
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP2
（反转）
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A6
A5
A4
A1
A0
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
512 × 8列
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
引脚名称
WE
CS
OE
A
0
~A
18
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
功能
写使能输入
片选输入
输出使能输入
地址输入
数据输入/输出
动力
地
CS
WE
OE
A9 A8 A13A17 A15 A10 A11 A3 A2
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版3.0
1998年9月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
