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    K6T4008C1B-MB70 参数 Datasheet PDF下载

    K6T4008C1B-MB70图片预览
    型号： K6T4008C1B-MB70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512Kx8位低功耗CMOS静态RAM [512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 173 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6T4008C1B-MB70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6T4008C1B-MB70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6T4008C1B-MB70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6T4008C1B-MB70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6T4008C1B-MB70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6T4008C1B-MB70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6T4008C1B-MB70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6T4008C1B-MB70的Datasheet PDF文件第9页  
    K6T4008C1B家庭
    文档标题
    512Kx8位低功耗CMOS静态RAM
    CMOS SRAM
    修订历史
    版本号
    0.0
    0.1
    历史
    最初的草案
    修改
    - 改变工作由光罩改版电流
    I
    CC
    在写： 35毫安
    →
    45mA
    I
    CC1
    在读/写： 15 / 35毫安
    →
    10/45mA
    敲定
    - 改变工作电流
    I
    CC1
    在写： 45毫安
    →
    40mA
    I
    CC
    2 ; 90毫安
    →
    80mA
    - 改变试验载荷在55ns ： 100pF的
    →
    50pF
    修改
    - 更改数据表格式
    修改
    - 工业生产速度斌变化： 70 / 100纳秒
    →
    55/70ns
    草案日期
    1996年12月7日
    1997年3月6日
    备注
    ADVANCE
    初步
    1.0
    1997年10月9日
    最终科幻
    2.0
    1998年2月17日
    最终科幻
    3.0
    1998年9月8日
    最终科幻
    所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
    产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
    1
    修订版3.0
    1998年9月

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