欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

K6X1008C2D-DB55 参数 Datasheet PDF下载

K6X1008C2D-DB55图片预览
型号: K6X1008C2D-DB55
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128Kx8位低功耗CMOS静态RAM [128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 179 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第9页  
K6X1008C2D家庭
文档标题
128Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
最初的草案
修订
- 删除的32 TSOP1-0820R封装类型。
- 增加商业产品。
修订
- 增加了无铅32 - SOP- 525产品
修订
- 增加了无铅32 TSOP1-0820F产品
敲定
- 改变了我
CC
从10mA至5毫安
- 改变了我
CC
2从35mA至25毫安
- 改变了我
SB
从3毫安至0.4mA
- 改变了我
DR
(工业级)
从15μA至10μA
- 改变了我
DR
(汽车)
从25μA至20μA
数据稿
2002年7月15日
2002年12月4日
备注
初步
初步
0.2
2003年5月13日
初步
0.3
2003年6月21日
初步
1.0
2003年9月16日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问,请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年9月