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    K6X1008C2D-DB55 参数 Datasheet PDF下载

    K6X1008C2D-DB55图片预览
    型号： K6X1008C2D-DB55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128Kx8位低功耗CMOS静态RAM [128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 179 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第9页浏览型号K6X1008C2D-DB55的Datasheet PDF文件第10页  
    K6X1008C2D家庭
    写周期时序波形（ 1 ）
    （我们控制）
    t
    WC
    地址
    t
    CW(2)
    CS
    1
    t
    AW
    CS
    2
    t
    CW(2)
    t
    WP(1)
    WE
    t
    AS(3)
    DATA IN
    t
    WHZ
    数据输出
    数据中，未定义
    t
    DW
    数据有效
    t
    OW
    t
    DH
    t
    WR(4)
    CMOS SRAM
    写周期时序波形（ 2 ）
    （ CS
    1
    控制）
    t
    WC
    地址
    t
    AS(3)
    CS
    1
    t
    AW
    CS
    2
    t
    WP(1)
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    数据有效
    t
    DH
    t
    CW(2)
    t
    WR(4)
    数据输出
    高-Z
    高-Z
    7
    修订版1.0
    2003年9月

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