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    K6X1008C2D-TF55 参数 Datasheet PDF下载

    K6X1008C2D-TF55图片预览
    型号： K6X1008C2D-TF55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128Kx8位低功耗CMOS静态RAM [128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 179 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6X1008C2D-TF55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K6X1008C2D-TF55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6X1008C2D-TF55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6X1008C2D-TF55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6X1008C2D-TF55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6X1008C2D-TF55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6X1008C2D-TF55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6X1008C2D-TF55的Datasheet PDF文件第9页  
    K6X1008C2D家庭
    交流工作条件
    测试条件
    （测试负载和输入/输出参考）
    输入脉冲电平： 0.8〜 2.4V
    输入上升和下降时间： 5ns的
    输入和输出参考电压： 1.5V
    输出负载（见右图） ：C
    L
    =100pF+1TTL
    C
    L
    =50pF+1TTL
    C
    L
    1)
    CMOS SRAM
    1.包括范围和夹具电容
    AC特性
    (V
    CC
    = 4.5 〜 5.5V ，商业产品：T已
    A
    = 0 〜70 ° C，工业产品：T已
    A
    = -40到85°C ，汽车产品：T已
    A
    =-40~125°C
    )
    速箱
    参数表
    符号
    民
    读周期时间
    地址访问时间
    芯片选择输出
    输出使能到输出有效
    读
    芯片选择低阻抗输出
    输出使能为低阻抗输出
    芯片禁用到高阻输出
    输出禁止到高阻输出
    从地址变更输出保持
    写周期时间
    片选写的结束
    地址建立时间
    地址有效到写结束
    写
    把脉冲宽度
    写恢复时间
    写入输出高阻
    数据写入时间重叠
    从时间写数据保持
    结束写入到输出低Z
    t
    RC
    t
    AA
    t
    CO
    t
    OE
    t
    LZ
    t
    OLZ
    t
    HZ
    t
    OHZ
    t
    OH
    t
    WC
    t
    CW
    t
    AS
    t
    AW
    t
    WP
    t
    WR
    t
    WHZ
    t
    DW
    t
    DH
    t
    OW
    55
    -
    -
    -
    10
    5
    0
    0
    10
    55
    45
    0
    45
    40
    0
    0
    20
    0
    5
    55ns
    最大
    -
    55
    55
    25
    -
    -
    20
    20
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    20
    -
    -
    -
    民
    70
    -
    -
    -
    10
    5
    0
    0
    10
    70
    60
    0
    60
    50
    0
    0
    25
    0
    5
    70ns
    最大
    -
    70
    70
    35
    -
    -
    25
    25
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    25
    -
    -
    -
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    单位
    数据保持特性
    项
    VCC为数据保留
    数据保持电流
    符号
    V
    DR
    I
    DR
    CS
    1
    ≥Vcc-0.2V
    1)
    K6X1008C2D-B
    Vcc=3.0V,
    CS
    1
    ≥Vcc-0.2V
    1)
    K6X1008C2D-F
    K6X1008C2D-Q
    数据保留的建立时间
    恢复时间
    t
    SDR
    t
    RDR
    看到数据保存波形
    测试条件
    民
    2.0
    -
    -
    -
    0
    5
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    5.5
    10
    10
    20
    -
    -
    单位
    V
    µA
    µA
    µA
    ms
    1. CS
    1
    ≥Vcc-0.2V
    ,
    CS
    2
    ≥V
    CC
    -0.2V ，或CS
    2
    ≤0.2V
    5
    修订版1.0
    2003年9月

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